Португальские исследователи из Нового лиссабонского университета под руководством Эльвиры Фортунато создали первые полевые транзисторы на основе бумаги, разместив устройства сразу на двух сторонах обычного листа, пишет ZDNet.
Это позволило обычной бумаге одновременно стать в транзисторе подложкой и изолятором.
Основную часть полевых транзисторов в настоящее время составляют CMOS-транизсторы, широко применяемые в цифровых устройствах. По параметрам новые устройства сравнимы с лучшими тонкопленочными транзисторами (TFT). Предполагается, что такие устройства можно будет применять в одноразовых электронных устройствах, таких как бумажные дисплеи, этикетки, радиометки.
Целлюлоза, из которой в основном состоит бумага - самый распространенный биополимер, и многие команды исследователей уже работают над применением биополимеров в электронных компонентах. Тем не менее, до сих пор бумагу удавалось не удавалось использовать в качестве промежуточного слоя, отмечает Scientific Blogging.
Ученые намерены опубликовать подробности о своем изобретении в сентябрьском выпуске IEEE Electron Device Letters.
Графеновые транзисторы могут охлаждать сами себя. Материал на основе углерода - графен - уже долгое время рассматривается в качества преемника кремния для производства полупроводниковой продукции.
Придумана электронная бумага NoteSlate. Чешская компания NoteSlate продемонстрировала концепт одноименного устройства, обладающего сенсорным 13" дисплеем на основе электронной бумаги. Разрешение экрана составляет 750х1080 пикселей.
E Ink представила электронную бумагу нового поколения. Компания E Ink объявила о разработке дисплеев Pearl на основе электронной бумаги нового поколения, предназначенных для портативных устройств, в частности ридеров.
Sematech доказывает жизнеспособность high-k для норм 45 нм. В ходе двух докладов на симпозиуме, посвященном проблемам микросхем сверхбольшой степени интеграции или СБИС (2006 Symposium on VLSI Technology), инженеры Sematech представили технические детали материалов для металлических электродов, на основе которых можно создавать нМОП (nMOS)