Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память
Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает значительно меньшим сроком службы.
Micron уже начала тестовые поставки модулей флэш-памяти, изготовленных по новой технологии. Максимальная емкость модуля - 32 гигабита. Их серийное производство будет запущено в первом квартале 2009 года.
Представители Micron подчеркивают, что разработанная ими флэш-память оптимальна для использования в областях, где требуется повышенная надежность накопителя. Это, например, системы хранения данных, SSD-накопители и промышленное оборудование.
В настоящее время среднестатистическая флэш-память выдерживает не менее 10 тысяч циклов перезаписи информации. После этого корректная работа носителя не гарантируется.
В середине текущего года компании Samsung и Sun анонсировали совместный проект по разработке износоустойчивой флэш-памяти. Ожидается, что эта флэш-память будет выдерживать в пять раз больше циклов перезаписи информации, чем существующие образцы.
Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память. Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает значительно меньшим сроком службы.
Чипы флэш-памяти снова уменьшили. Компании Intel и Micron Technology представили новые чипы флэш-памяти, выполненные по 20-нанометровому техпроцессу.
В смартфоне теперь поместится больше памяти. Intel и Micron объявили о переходе на 20-нанометровый технологический процесс и представили первый тестовый образец чипа NAND-памяти объемом 8 Гб.
Создана самая быстрая флешка в мире. Компания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи - до 100 мегабайт в секунду.