Японские компании объединились для разработки чипов резистивной памяти с произвольным доступом.
По сравнению с флэш-памятью стандарта чипов, чипы будут иметь более высокую скорость записи в тысячи раз, которые способны потреблять меньшее количество энергии. К тому же чипы будут хранить записанные данные после отключения питания.
Чипы будут разрабатываться с разработчиками из Токийского университета и японским Национальным институтом передовых индустриальных наук и технологий. В 2013 году должны появиться коммерческие образцы чипов, с помощью которых можно будет записывать данные до десяти тысяч раз быстрее.
В режиме ожидания ReRAM чипы почти не будут использовать энергию. Проводятся работы над созданием памяти заменяющая динамическую память с произвольным доступом. Компания Elpida Memory входящая в тройку крупных производителей чипов оперативной памяти DRAM начнет производство чипов в 2013 году.
Чипы флэш-памяти уменьшили второй раз за неделю. Компании SanDisk и Toshiba объявили о переходе на новый техпроцесс при выпуске модулей флэш-памяти. Во второй половине года компании выпустят чипы, изготовленные по 19-нанометровому техпроцессу, сообщается в официальном пресс-релизе.