Компании Toshiba и Hynix будут совместно разрабатывать технологии производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.
Сообщается, что Hynix и Toshiba сосредоточат усилия на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми "классическая" технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.
Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, найдёт применение в самых разнообразных устройствах - от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники. Сроки начала массового производства MRAM-чипов компании Hynix и Toshiba не оговаривают.
Чипы памяти достигли рубежа в 40 нанометров. В воскресенье южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о создании чипа памяти самой высокой плотности, при его производстве были использованы самые тонкие технологические процессы.
Freescale выпускает на рынок "убийцу" существущих типов памяти. Как известно, рынок чипов памяти, объем которого, по данным источника, достигает 48 млрд. долл., находится в состоянии поиска новой технологии, которая могла бы заменить флэш-память, статическую и динамическую память с произвольным доступом.
Toshiba намерена купить часть SanDisk. Компания Toshiba намерена купить часть производственных мощностей SanDisk, сообщает TechRadar. На это Toshiba готова потратить 1,7 миллиарда долларов.
Компании Toshiba и Hynix будут совместно разрабатывать технологии производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). 
