Samsung всё-таки начинает производство 8-Гбит памяти NAND
Компания Samsung почти мгновенно отреагировала на информацию, опубликованную источниками о том, что производство ею 8-Гбит компонентов флэш-памяти типа NAND откладывается.
Своим официальным релизом компания сообщила, что массовое производство таких чипов памяти с использованием 60-нм технологического процесса стартовало.
Такая память будет иметь высокую плотность и использовать проверенную технологию 2-битных многоуровневых ячеек (2-bit multi-level-cell, MLC).
Это поколение NAND станет уже пятым в рамках концепции Samsung New Memory Growth Model, подразумевающей удвоение плотности производимых чипов каждые 12 месяцев.
На базе 8-Гбит чипов планируется выпуск 4-Гб модулей, которые будут использоваться в мобильных телефонах, плеерах, игровых консолях и т.д., появление которых на рынке планируется на третий квартал этого года.
В дальнейшем Samsung планирует использование 60-нм 8-Гбит чипов в производстве памяти moviNAND, объединяющей в себе собственно микросхему памяти и контроллер NAND.
Samsung планирует, что внедрение более тонкой технологии позволит повысить на 25% отдачу от производственных мощностей, ныне использующих 70-нм техпроцесс.
новости по теме
Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее. Компания Samsung сообщила о разработке 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Сообщается, что новые микросхемы будут производиться с использованием 60-нм технологии.
Samsung выпустил новую линейку карт памяти MMC объемом до 8 ГБ. Компания Samsung Electronics анонсировала выход новой линейки карт памяти формата MMC (MultiMediaCard), выполненных на базе многоуровневой технологии MLC NAND и одноуровневой SLC NAND.
Samsung представила новые чипы мобильной памяти. Южнокорейская фирма Samsung заявила о том, что скоро начинает производство первых микросхем мобильной памяти на подобии LPDDR4 с плотностью 8 Гбит.
Создана самая быстрая флешка в мире. Компания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи - до 100 мегабайт в секунду.
Компания Samsung почти мгновенно отреагировала на информацию, опубликованную источниками о том, что производство ею 8-Гбит компонентов флэш-памяти типа NAND откладывается.
