Рабочая группа Open NAND Flash Interface (ONFI) удвоила скорость передачи и записи данных на модули флэш-памяти, сообщается в официальном пресс-релизе.
ONFI выпустила новую спецификацию стандарта ONFI 3.0, который поддерживает передачу данных на скорости до 400 мегабит в секунду. Максимальная пропускная способность интерфейса флэш-памяти NAND предыдущего поколения составляла 200 мегабит в секунду. Предыдущий стандарт ONFI 2.3 был принят в августе 2010 года.
Модули флэш-памяти используются в первую очередь для хранения информации в потребительской электронике и компьютерной технике. На их базе работают USB-флэш-накопители, карты памяти и твердотельные накопители.
Основное отличие модулей флэш-памяти от традиционных компьютерных жестких дисков заключается в меньшем размере первых, а также в более высокой скорости передачи и чтения данных.
Как заявила Intel в своем блоге, принятие нового стандарта позволит выпустить новые модели твердотельных накопителей. Однако точная дата выхода этих моделей на рынок пока не называется.
Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память. Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает значительно меньшим сроком службы.
Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память. Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает значительно меньшим сроком службы.
Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее. Компания Samsung сообщила о разработке 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Сообщается, что новые микросхемы будут производиться с использованием 60-нм технологии.