Транзисторы, разработанные NEC, будут иметь 65, 45-нм и даже более тонкий техпроцесс
NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения".
Была анонсирована совместная разработка для производства высокопроизводительных SOC-устройств на базе элементов, произведенных по 65-нм и 45-нм нормам. Разработанная технология позволяет производить металлизированные транзисторы с большой диэлектрической постоянной (metal/high-k).
Результаты исследований достигнуты благодаря:
использованию высоконадежного пленочного диэлектрика HfSiON (Hf) и никель-силицидного затвора устранению влияния фазы кристаллизации на Ni-FUSI затворе использованию комбинации NiSi (n-FET) и Ni3Si (p-FET) для надежной работы контролю высоты и ширины затвора До сегодня существовало несколько проблем, связанных с производством транзисторов подобного рода (metal/high-k), они имели невысокую производительность при длительной работе из-за высокой утечки через ультратонкий стек затвора. Новая технология производства NEC решает эту основную проблему. К тому же, себестоимость производства транзисторов по новой технологии обещает быть ниже. Это позволит создавать портативную потребительскую электронику с очень низким энергопотреблением.
Новая технология производства транзисторов была представлена компанией NEC на прошедшем в США симпозиуме "2006 symposium VLSI".
новости по теме
Чипы флэш-памяти уменьшили второй раз за неделю. Компании SanDisk и Toshiba объявили о переходе на новый техпроцесс при выпуске модулей флэш-памяти. Во второй половине года компании выпустят чипы, изготовленные по 19-нанометровому техпроцессу, сообщается в официальном пресс-релизе.
Panasonic будет разрабатывать 32-нанометровые транзисторы. Компании Panasonic и Renesas объявили о совместной работе над созданием чипов по 32-нанометровому технологическому процессу, сообщает TG Daily. По этому техпроцессу компании намерены производить SoC (System on a chip).
Intel представила 32-нанометровые чипы. Компания Intel продемонстрировала действующие образцы мобильных и настольных процессоров Westmere, созданных с соблюдением 32-нанометрового техпроцесса, сообщает The Register.
Графеновые транзисторы могут охлаждать сами себя. Материал на основе углерода - графен - уже долгое время рассматривается в качества преемника кремния для производства полупроводниковой продукции.
Созданы первые транзисторы на основе бумаги. Португальские исследователи из Нового лиссабонского университета под руководством Эльвиры Фортунато создали первые полевые транзисторы на основе бумаги, разместив устройства сразу на двух сторонах обычного листа, пишет ZDNet.
NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения". 
